目前FPD所用的ITO燒成的靶材應(yīng)該是單一的三氧化二銦相結(jié)構(gòu)。所采用的工藝基本上是熱等靜壓和熱壓，這是目前國(guó)際上生產(chǎn)ITO靶材的主流工藝，韓國(guó)目前三星一家，其技術(shù)主要來(lái)源于日本，產(chǎn)品一部分采用STN，但主要用于TFT液晶生產(chǎn)，但其產(chǎn)品仍有縫隙（空洞）。我們的鉬鈮合金靶材可以避開(kāi)這個(gè)不足。

      特點(diǎn)：低透濕性、高柔軟性、透明介質(zhì)性開(kāi)發(fā)用鉬鈮合金替代ITO的材料。高功率、低電阻率、低脆性、合金的組織與成分都分布均勻、晶粒細(xì)化、耐腐蝕、高反射、低電阻率、刻蝕性能可穩(wěn)定蒸發(fā)速率、低蒸發(fā)溫度、低功函數(shù)。我們有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)細(xì)晶粒、高質(zhì)量的鉬鈮合金靶材。我們還為您提供鉬鉭合金靶、鎢鉬合金靶、鎢靶、鉬靶、鉭靶、鈮靶、鉻靶、銥靶、鎳靶等金屬靶材。